半導(dǎo)體芯片潔凈車間生產(chǎn)工藝流程：

      簡(jiǎn)單地說(shuō)，芯片的制造過(guò)程可以分為沙子原料（石英）、硅錠、晶圓、光刻，蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測(cè)試與切割、核心封裝、等級(jí)測(cè)試、包裝等諸多步驟，而且每一步里邊又包含更多細(xì)致的過(guò)程。

　　1、沙子：硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素，而脫氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25％的硅元素，以二氧化硅（SiO2）的形式存在，這也是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。

　　2、硅熔煉：12英寸/300毫米晶圓級(jí)，下同。通過(guò)多步凈化得到可用于半導(dǎo)體制造質(zhì)量的硅，學(xué)名電子級(jí)硅（EGS），平均每一百萬(wàn)個(gè)硅原子中最多只有一個(gè)雜質(zhì)原子。此圖展示了是如何通過(guò)硅凈化熔煉得到大晶體的，最后得到的就是硅錠

　　3、單晶硅錠：整體基本呈圓柱形，重約100千克，硅純度99.9999％。

　　4、硅錠切割：橫向切割成圓形的單個(gè)硅片，也就是我們常說(shuō)的晶圓（Wafer）。順便說(shuō)，這下知道為什么晶圓都是圓形的了吧？

　　5、晶圓：切割出的晶圓經(jīng)過(guò)拋光后變得幾乎完美無(wú)瑕，表面甚至可以當(dāng)鏡子。

　　6、光刻膠（Photo Resist）：圖中藍(lán)色部分就是在晶圓旋轉(zhuǎn)過(guò)程中澆上去的光刻膠液體，類似制作傳統(tǒng)膠片的那種。晶圓旋轉(zhuǎn)可以讓光刻膠鋪的非常薄、非常平。

　　7、光刻：光刻膠層隨后透過(guò)掩模（Mask）被曝光在紫外線（UV）之下，變得可溶，期間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)類似按下機(jī)械相機(jī)快門(mén)那一刻膠片的變化。掩模上印著預(yù)先設(shè)計(jì)好的電路圖案，紫外線透過(guò)它照在光刻膠層上，就會(huì)形成微處理器的每一層電路圖案。

　　由此進(jìn)入50-200納米尺寸的晶體管級(jí)別。晶體管相當(dāng)于開(kāi)關(guān)，控制著電流的方向?，F(xiàn)在的晶體管已經(jīng)如此之小，一個(gè)針頭上就能放下大約3000萬(wàn)個(gè)。

　　8、溶解光刻膠：光刻過(guò)程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉，清除后留下的圖案和掩模上的一致。

　　9、蝕刻：使用化學(xué)物質(zhì)溶解掉暴露出來(lái)的晶圓部分，而剩下的光刻膠保護(hù)著不應(yīng)該蝕刻的部分。

　　10、清除光刻膠：蝕刻完成后，光刻膠的使命宣告完成，全部清除后就可以看到設(shè)計(jì)好的電路圖案。

　　再次光刻膠：再次澆上光刻膠（藍(lán)色部分），然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻膠還是用來(lái)保護(hù)不會(huì)離子注入的那部分材料。

　　11、離子注入（Ion Implantation）：在真空系統(tǒng)中，用經(jīng)過(guò)加速的、要摻雜的原子的離子照射（注入）固體材料，從而在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層，并改變這些區(qū)域的硅的導(dǎo)電性。經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速后，注入的離子流的速度可以超過(guò)30萬(wàn)千米每小時(shí)。

　　12、清除光刻膠：離子注入完成后，光刻膠也被清除，而注入?yún)^(qū)域（綠色部分）也已摻雜，注入了不同的原子。注意這時(shí)候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。

　　13、晶體管就緒：至此，晶體管已經(jīng)基本完成。在絕緣材（品紅色）上蝕刻出三個(gè)孔洞，并填充銅，以便和其它晶體管互連。

　　14、電鍍：在晶圓上電鍍一層硫酸銅，將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會(huì)從正極（陽(yáng)極）走向負(fù)極（陰極）。

　　15、銅層：電鍍完成后，銅離子沉積在晶圓表面，形成一個(gè)薄薄的銅層。

　　16、拋光：將多余的銅拋光掉，也就是磨光晶圓表面。

　　17、金屬層：晶體管級(jí)別，六個(gè)晶體管的組合，大約500納米。在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層，具體布局取決于相應(yīng)處理器所需要的不同功能性。芯片表面看起來(lái)異常平滑，但事實(shí)上可能包含20多層復(fù)雜的電路，放大之后可以看到極其復(fù)雜的電路網(wǎng)絡(luò)，形如未來(lái)派的多層高速公路系統(tǒng)。

　　18、晶圓測(cè)試：內(nèi)核級(jí)別，大約10毫米/0.5英寸。圖中是晶圓的局部，正在接受第一次功能性測(cè)試，使用參考電路圖案和每一塊芯片進(jìn)行對(duì)比。

　　19、晶圓切片（Slicing）：晶圓級(jí)別，300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊，每一塊就是芯片的內(nèi)核（Die）。咱們TO can封裝的跨阻放大器就是DIE的形式

　　20、丟棄瑕疵內(nèi)核：晶圓級(jí)別。測(cè)試過(guò)程中發(fā)現(xiàn)的有瑕疵的內(nèi)核被拋棄，留下完好的準(zhǔn)備進(jìn)入下一步

　　21、封裝：封裝級(jí)別

       半導(dǎo)體芯片潔凈車間建設(shè)方案簡(jiǎn)要：

       無(wú)塵車間參數(shù)

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